三星正全力加速其次世代存储技术的研发。据悉，三星计划在本月下旬为其“NRD-K”项目引入最新设备，推进1d DRAM和V11、V12 NAND等前沿存储技术的开发。这一项目是三星专门打造的半导体研发综合体，集成了尖端技术的研究、生产和分销。

在技术突破上，三星的1d DRAM采用了全新结构设计和封装技术，显著提升了性能并降低能耗，极具市场竞争力。而V11和V12 NAND则实现了更高存储密度和更佳能效比，将成为数据中心及高性能计算领域的有力支撑。这些创新有望提升数据传输效率，从而推动整体系统性能的显著增强。

全球竞争激烈，美光与铠侠等也在奋力追赶。美光近期在日本试产1γ DRAM，并计划在2025年量产；铠侠则正向1000层NAND存储目标迈进，展示出非凡的技术前景。

三星的积极布局，不仅强化了在高性能存储领域的领先地位，也为AI时代的数据需求提供了坚实保障。这一创新步伐，彰显出三星对未来技术发展的坚定承诺。