晶升股份在碳化硅领域的技术创新取得重大进展，成功研发出可视化8英寸电阻法SiC单晶炉，该技术使碳化硅晶体生长过程透明化，显著提升晶体良率超过20%，并已通过客户验证。

晶升股份董秘吴春生指出，传统碳化硅单晶生长过程缺乏可视化，导致工艺开发周期长、成本高、良率低。晶升股份的新型单晶炉通过引入可视化检测系统，实现长晶过程的实时观测，通过干预调节功率、压力等条件，使晶体生长可控。此外，设备采用多加热器布局，有效解决了温度梯度控制问题，提高晶体生长品质。晶升股份还通过实验将最低长晶功率降至25kW以下，实现节能降耗。

晶升股份自2012年成立以来，专注于半导体级单晶硅炉、碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺的研发与生产。2023年4月，公司登陆科创板，计划通过IPO募资4.76亿元用于生产及研发中心建设。2024年上半年，公司营收和净利润大幅增长，营收达到1.99亿元，同比增长73.76%；净利润为0.35亿元，同比增长131.99%。7月，晶升股份完成8英寸碳化硅长晶设备的批量交付，标志着业务进入新阶段。