晶升股份突破8英寸SiC单晶炉技术,晶体良率提升超20%
来源:ictimes 发布时间:1 天前 分享至微信
晶升股份在碳化硅领域的技术创新取得重大进展,成功研发出可视化8英寸电阻法SiC单晶炉,该技术使碳化硅晶体生长过程透明化,显著提升晶体良率超过20%,并已通过客户验证。
晶升股份董秘吴春生指出,传统碳化硅单晶生长过程缺乏可视化,导致工艺开发周期长、成本高、良率低。晶升股份的新型单晶炉通过引入可视化检测系统,实现长晶过程的实时观测,通过干预调节功率、压力等条件,使晶体生长可控。此外,设备采用多加热器布局,有效解决了温度梯度控制问题,提高晶体生长品质。晶升股份还通过实验将最低长晶功率降至25kW以下,实现节能降耗。
晶升股份自2012年成立以来,专注于半导体级单晶硅炉、碳化硅、砷化镓等半导体材料长晶设备及工艺的研发与生产。2023年4月,公司登陆科创板,计划通过IPO募资4.76亿元用于生产及研发中心建设。2024年上半年,公司营收和净利润大幅增长,营收达到1.99亿元,同比增长73.76%;净利润为0.35亿元,同比增长131.99%。7月,晶升股份完成8英寸碳化硅长晶设备的批量交付,标志着业务进入新阶段。
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