铠侠（Kioxia）近日宣布，将在2024年12月7日至11日于美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上发布多项重磅创新成果。这些新技术包括氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）、高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器），以及下一代具有水平单元堆叠结构的3D存储技术。
OCTRAM技术是铠侠与南亚科技共同研发的成果，采用了改进的制造工艺，致力于提升电路集成度。这项技术的关键在于其垂直晶体管设计，预计将大幅降低DRAM的功耗，尤其在人工智能和5G通信等领域，前景广阔。
与此同时，铠侠与SK海力士合作开发的高容量交叉点MRAM技术也备受瞩目。通过高密度选择器与磁隧道结的结合，该技术在单元密度上实现了行业领先，创新的读出方法则显著降低了读取干扰，提升了存储器的可靠性。MRAM以其非易失性、高速读写和无限写入次数的特点，有望在大数据处理和人工智能应用中大展拳脚。
铠侠自主研发的下一代3D存储技术则采用了水平单元堆叠结构，这一创新设计在提高位密度和可靠性的同时，进一步提升了存储容量和性能，以应对未来数据存储需求的不断增加。
