日厂Oxide研发8寸SiC晶圆新制程,2025年3月底前提供样品
来源:ictimes 发布时间:3 天前 分享至微信
面对日本碳化矽(SiC)功率半导体需求增长及晶圆依赖外国来源的问题,日本Oxide公司与JS Foundry合作,开发出全球领先的8寸SiC晶圆液相法制程,计划于2025年3月底前提供样品。
Oxide的8寸SiC晶圆制程采用液相法,相较于主流的昇华法,更能减少晶圆缺陷。该技术已在国际碳化矽与材料论坛展出全球首个液相法8寸SiC晶圆成品。
随着电动车、再生能源和工业设备领域对SiC功率半导体的需求激增,市场急需提高现有SiC晶圆产能及制品良率。Oxide与JS Foundry的合作,旨在通过领先全球竞争者量产,抢占市场份额,并推动日本电动车相关产业发展。
Oxide负责制造SiC结晶,JS Foundry负责后续加工,向高压电力设备相关产业推销。
此次合作也是日本政府鼓励本土电动车、再生能源及半导体产业政策的一环,因为Oxide的8寸SiC晶圆液相法制程得到了日本产业技术综合开发机构的资助。
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