面对日本碳化矽（SiC）功率半导体需求增长及晶圆依赖外国来源的问题，日本Oxide公司与JS Foundry合作，开发出全球领先的8寸SiC晶圆液相法制程，计划于2025年3月底前提供样品。

Oxide的8寸SiC晶圆制程采用液相法，相较于主流的昇华法，更能减少晶圆缺陷。该技术已在国际碳化矽与材料论坛展出全球首个液相法8寸SiC晶圆成品。

随着电动车、再生能源和工业设备领域对SiC功率半导体的需求激增，市场急需提高现有SiC晶圆产能及制品良率。Oxide与JS Foundry的合作，旨在通过领先全球竞争者量产，抢占市场份额，并推动日本电动车相关产业发展。

Oxide负责制造SiC结晶，JS Foundry负责后续加工，向高压电力设备相关产业推销。

此次合作也是日本政府鼓励本土电动车、再生能源及半导体产业政策的一环，因为Oxide的8寸SiC晶圆液相法制程得到了日本产业技术综合开发机构的资助。