日本东北大学近日宣布成立FOX公司，专注于低成本大规模生产β-氧化镓（β-Ga2O3）晶片。这一创新举措将采用无贵金属单晶生长技术，目标是实现与碳化硅相媲美的低缺陷程度，并降低生产成本。

β-氧化镓因其宽带隙和低能耗特性，被认为是下一代功率半导体材料的有力竞争者。与硅材料类似，β-氧化镓可以通过原材料熔体进行熔融生长，从而实现大规模生产高质量单晶。然而，传统晶体生长方法中使用的贵金属坩埚增加了成本，使得β-氧化镓衬底的价格高于碳化硅。

FOX公司通过创新的OCCC（冷容器氧化物晶体生长）方法，成功避免使用贵金属材料，降低了生产成本。初期阶段，该公司将专注于开发半导体级的大尺寸技术，力争在2028年前建立6英寸晶圆的量产能力，随后计划扩建生产设施，进一步验证这一技术。

此外，国内企业也在积极布局氧化镓产业，取得了显著进展。例如，镓仁半导体在今年7月成功制备了3英寸氧化镓单晶衬底，而富加镓业在9月启动了6英寸氧化镓单晶及外延片的生产线。晶旭半导体的高频滤波器芯片项目也将在年底之前开工建设。