日本东北大学于2024年设立了半导体新创公司Fox，致力于研发和推广降低β-Ga2O3晶圆量产成本的新制程。β-Ga2O3作为一种次时代功率半导体材料，具有比碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）更宽的能隙和更佳的效能。

Fox采用独创的冷却炉氧化成晶（OCCC Method），结合壳熔法和柴可拉斯基法，预计将在2028年完成6寸β-Ga2O3晶圆量产技术。

该技术能够显著降低生产成本，现有β-Ga2O3的4寸晶圆制程成本可达1万日圆，而OCCC法的成本仅为约100日圆。

由于电动汽车、再生能源以及先进的工具机和机器人等领域对高性能功率半导体的需求日益增加，β-Ga2O3的市场潜力巨大。因此，东北大学决定将这个技术转化为事业，进行4寸及6寸β-Ga2O3晶圆制程与设备研发。

据悉，日本政府的新能源产业技术综合开发机构（NEDO）、半导体贸易商Macnica以及气体和化学大厂岩谷产业等已在2024年8至9月陆续对Fox出资，共同推动β-Ga2O3晶圆制程研发，并于10月17日正式对外公布。