三星电子的高带宽存储器（HBM）事业近期迎来转机，得益于合作伙伴超微（AMD）发布的一系列AI加速产品计划。超微最新推出的AI加速器MI325X，在存储容量和带宽上分别比NVIDIA的主力产品H200高出1.8倍和1.3倍，这有望带动三星HBM业绩的反弹。

据韩媒报道，尽管NVIDIA目前占据全球逾90%的AI加速器市场，但超微计划于2024年底量产、2025年初出货的新一代AI加速器MI325X，将搭载8颗第五代HBM（HBM3E），比NVIDIA的H200还多出两颗。此外，超微还计划推出下一代AI加速器MI350和MI400，显然有意与NVIDIA竞争。

韩国业界认为，超微的这一系列举动将为三星带来新的机会。目前，三星正向超微供应HBM3E，若超微能够不断提升AI加速器的市占率，三星的HBM事业有望迎来反弹。同时，若三星能通过NVIDIA的品质测试，其HBM事业也可能迎来新的转机。

尽管三星2024年第三季度营业利益远低于市场预期，其中半导体暨装置解决方案（DS）部门业绩不振，部分原因归咎于HBM市场竞争力不足，尤其是HBM3E迟迟无法通过NVIDIA品质测试。

但业界多预测三星HBM最终能通过NVIDIA品质门槛，且三星也在加速开发第六代HBM（HBM4）。随着AI市场的不断扩大，NVIDIA现有及下一代AI加速器将带动HBM需求量激增，为三星HBM事业带来更多机遇。