丰田合成正携手大阪大学与三菱化学，在2020年代下半建立6~10寸GaN晶圆低价量产线。GaN作为功率半导体新材料，与碳化矽（SiC）竞争激烈。

丰田合成采用的高品质GaN成晶技术钠助熔法（Na-Flux Method）与多点晶种（Point Seed Method）法，已成功制出8寸GaN晶圆，并于2022年制出6寸高品质GaN晶圆及功率半导体，品质与效能优于市场同类产品。

目前，丰田合成仅有一个适于实验的钠助熔法炉，难以量产。因此，该公司与三菱化学合作，研究多点晶种法的功率半导体用GaN晶圆量产线设计，旨在提高生产速率并降低成本。

丰田合成计划于2025年3月底前在日本爱知县建立第2条钠助熔法生产线，产能增至当前10倍，并开始提供6寸晶圆样品。这标志着量产技术已验证完成。

未来，丰田合成将优先开发8寸与10寸量产技术，预计2030年前后实现低成本大面积功率半导体级GaN晶圆量产上市。这将为日本汽车及电机产业提供自主的高效能GaN功率半导体来源，增强整体产业竞争力。