随着SiC基板大幅降价和应用领域扩大，SiC正威胁着GaN在某些市场的地位。作为全球第三大半导体硅片厂商，环球晶已涉足SiC及GaN领域，如今却面临SiC降价和GaN市场受挤压的双重挑战。
SiC在电动车领域的绝对优势日益巩固，成本下降和用量增加使得SiC在牵引马达逆变器和车载充电器等领域加速渗透，GaN则难以切入。同时，SiC还试图抢占AI数据中心市场，对GaN构成进一步威胁。
环球晶董事长徐秀兰指出，虽然SiC降价明显，但仍比GaN昂贵，因为SiC磊晶价格较高。然而，SiC厂多数采用淌血销售策略，长远来看难以持续。不过，SiC降价对GaN造成的成本压力有限，GaN仍具有潜力。
徐秀兰认为，GaN与SiC各具特性，前者耐高频、后者耐高电压及大电流，两者分流至不同应用领域。SiC降价对GaN在高电压、大电流领域的应用构成威胁，但在整体市场中，SiC降价也可能威胁Si绝缘栅双极晶体管（IGBT）的性价比。
环球晶因SiC降价和GaN承压而受到影响，原本预估2025年8寸SiC将成为主流的时间点可能延后。不过，环球晶在8寸SiC布局上将顺势调整、观望市况，同时规划投入细节均维持不变。
