获得美国防部资助,MACOM开发GaN-on-SiC产品
来源:ictimes 发布时间:2024-11-06 分享至微信

11月4日,MACOM Technology Solutions宣布成功领导美国国防部资助的创新项目,致力于推进射频(RF)和微波应用中的氮化镓(GaN)碳化硅(SiC)半导体技术。此次项目的重点是开发基于GaN材料的单片微波集成电路(MMIC)技术,旨在提升高压和毫米波频段的高效能。


这一项目得到了美国国防部《CHIPS法案》资助,总金额达340万美元,目标是通过加快高性能半导体材料的研发,增强军事和通信领域的技术竞争力。MACOM将在与北卡罗来纳州立大学、Adroit Materials和海军研究实验室的合作下,进一步推动这一领域的突破。


MACOM在GaN技术方面的积累,使其成为全球半导体领域的创新领导者。自2021年与美国空军研究实验室(AFRL)签订合作协议以来,MACOM不仅成功转移了先进的GaN-on-SiC工艺,还进一步加深了与军事科研机构的合作,推动毫米波技术的进步。


GaN-on-SiC技术的优势显而易见:高功率输出、优秀的热管理和高频信号的稳定性,使其在军事雷达、传感器、通信等关键领域具有巨大的应用潜力。而在5G和6G网络的建设中,这项技术更是成为未来通信基础设施的核心支撑。


MACOM CEO Stephen G. Daly表示,公司通过提升国内射频和微波技术的生产能力,既支持国防领域的技术需求,也为下一代电信网络奠定基础。通过持续的技术创新,MACOM不仅增强了美国在全球技术竞争中的优势,还为未来的市场扩展铺平道路。


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