武汉太紫微光电科技有限公司宣布其T150 A光刻胶产品已通过半导体工艺量产验证，实现了配方的全自主设计，标志着国内在半导体光刻胶领域取得重大突破。

据武汉东湖新技术开发区管理委员会称，该产品与国际主流KrF光刻胶系列相媲美，极限分辨率达到120nm，展现出更大的工艺宽容度和更高的稳定性，坚膜后烘留膜率优秀。在刻蚀工艺中，T150 A表现出对下层介质侧壁垂直度的优异性能。

据悉，太紫微公司由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队于2024年5月创立。公司负责人朱明强教授表示，T150 A的成功只是起点，团队将继续开发应用于不同场景的KrF与ArF光刻胶，为国内半导体产业带来更多创新成果。