国际电子元件大会（IEDM）将在旧金山联合广场希尔顿酒店举行，届时，来自台积电、IMEC、IBM和三星的顶尖研究人员将齐聚一堂，共同展示垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术的最新进展。
台积电作为半导体制造业的佼佼者，此次将带来一篇题为《首次演示48nm栅极间距单片CFET反相器，面向未来逻辑技术扩展》的论文。该论文详细介绍了在48nm栅极间距（相当于5nm工艺）上制造的全功能单片CFET反相器的卓越性能。
这款反相器采用了n型纳米片晶体管叠加在p型纳米片晶体管上的设计，是逻辑电路的基本组成部分。值得一提的是，台积电通过引入背面触点和互连技术，进一步提升了器件的性能和设计灵活性。
实验结果显示，该CFET器件的电压传输特性高达1.2V，亚阈值斜率稳定在74~76mV/V（n型和p型器件均如此），这无疑为CFET技术的发展树立了新的里程碑。尽管当前技术尚未达到商业制造的标准，但其展现出的面积减小和制造工艺复杂性，预示着未来在尺寸缩放和堆叠方面有着巨大的潜力，有望为功率、性能、面积和成本（PPAC）带来全面的进步。
一篇题为《双排CFET：面积高效A7技术节点的设计技术协同优化》的论文，揭示了IMEC在z方向和x-y平面上继续将CFET扩展到更高尺寸方面的显著进展。A7或7埃米技术节点预计将成为1nm（A10）节点技术的后续发展，而IMEC的路线图更是计划让CFET在2032年左右进入A5（0.5nm）节点的主流生产。
此外，IMEC还参与了当代工艺节点的研究，一篇关于在60nm栅极间距工艺中直接背面接触源极和漏极（相当于7nm节点）的论文，展示了IMEC在CFET技术上的广泛探索。
