近期，韩国DB Hitech和河北一棵竹新材料实业有限公司分别宣布了新增的8英寸碳化硅（SiC）项目，总投资额超过88亿人民币。

韩国DB Hitech计划在忠清北道Eumseong的Sangwoo园区内投资扩建8英寸SiC产线，预计到2027年10月末将投入2500亿韩元，到2030年投入1.7万亿韩元。该项目将利用园区的闲置空间，建立系统半导体生产基础，预计产能将达到3.5万片/月，提高公司生产能力23%，达到19万片。

河北一棵竹新材料实业有限公司在张北县庙滩产业园的投资项目也在稳步推进中，项目将分两期建设，一期将安装6-8条高端碳化硅制品生产线，二期计划安装25-30条生产线，建成后将年产8亿件高端碳化硅制品。目前，集团的7条生产线已就位，其中4条正在安装调试设备，预计10月中旬投产。

这两个项目的推进，不仅将提升各自公司的生产能力，也将进一步推动全球SiC产业的发展。SiC作为第三代半导体材料，因其在高温、高压、高频等极端环境下的优异性能，被广泛应用于新能源汽车、5G通信、光伏等领域。随着这些项目的投产，预计将满足市场对SiC产品日益增长的需求。