意法半导体近日推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术。

此次发布的第四代SiC MOSFET技术，在能效、功率密度和稳健性方面均实现了显著提升，树立了新的市场标杆。特别值得一提的是，该技术针对电动汽车电驱系统的关键部件——逆变器进行了深度优化，不仅满足了电动汽车对高性能、高可靠性和长寿命的严苛要求，更推动了电动汽车的小型化和节能化进程，为电动汽车行业的未来发展注入了强劲动力。

展望未来，意法半导体计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，通过不断的技术创新和突破，将进一步释放SiC材料的潜力，为电动汽车和工业应用带来更加高效、可靠和环保的解决方案。