意法半导体发布第四代SiC MOSFET技术,提升电动车效率与效能
来源:ictimes 发布时间:一周前 分享至微信
意法半导体(STM)近日宣布推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技术,旨在提升电动车(EV)动力系统关键组件——牵引逆变器的整体效率与效能。
据报道,第四代STPOWER MOSFET技术导通电阻更小,传导损失更低,系统效率更优异,开关速度更快,可降低开关损耗,使功率转换器更精巧、高效。其平均裸晶尺寸较第三代小12~15%,可节省空间与成本,适用于更小的转换器设计。
该技术不仅适用于EV牵引逆变器,还可用于大功率工业马达驱动器,提高马达控制效率,降低能源消耗和营运成本。
在可再生能源领域,它能强化太阳能转换器和能源储存系统效率,提供可持续、成本效益高的能源解决方案。对于AI服务器数据中心等耗电、散热需求大的应用,也具有一定优势。
意法半导体正同步开发多项SiC技术创新,加速碳化硅功率元件发展,预计在未来3年内推动功率元件技术进展。750-V级第四代STPOWER MOSFET已认证,1200-V级认证预计2025年第一季度完成。
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