SK海力士在台积电OIP论坛上展示了与台积电、NVIDIA合作的HBM技术成果，其生产效率达到竞争对手三星和美光的8.8倍。

据韩媒报道，SK海力士的HBM生产周转时间仅为竞争者的1/8.8，若其花费1小时生产，三星及美光则需近9小时。

SK海力士使用MR-MUF制程生产HBM，相较于三星和美光使用的TC-NCF制程，堆叠DRAM时所需时间更短。此外，SK海力士先行堆叠DRAM再一次性热压接合，进一步提升了生产效率。

目前，三星和美光在供应NVIDIA HBM3E方面遇到良率、发热和产能等问题，而SK海力士已量产12层HBM3E，巩固市场地位。为了竞争，三星持续改善TC-NCF技术，并计划采用混合键合新技术在HBM4上展开较量。

韩媒还报道，三星为抢占HBM4市场，新设“定制化HBM团队”，投入针对客户特制的HBM研发及量产。三星计划于2025年底量产12层HBM4，整体规划与SK海力士相似。

自HBM4开始，Base Die需交由晶圆代工生产，三星作为唯一掌握存储器、晶圆代工及封装等所有技术的IDM，将HBM4视为竞争关键。