台积电在2nm工艺技术方面取得了显著进展。据悉，台积电2nm工艺将引入革命性的Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术，这一创新设计将大幅提升芯片的性能与效率。

与现有的N3E工艺相比，N2工艺在相同功率下可实现10%至15%的性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更令人振奋的是，晶体管密度也将提升15%，这无疑将进一步巩固台积电在全球半导体技术领域的领先地位。

然而，台积电2nm工艺的成本问题也引起了业界的广泛关注。据预测，每片300mm的2nm晶圆价格可能超过3万美元，这一数字远高于之前的预估以及当前3nm、4/5nm晶圆的价格。

面对这一挑战，台积电并未退缩，而是选择了迎难而上。为了满足市场对2nm工艺技术的强烈需求，台积电正在加大对该制程节点的投资力度，并计划在中国台湾的北部、中部和南部三地布局2nm晶圆厂。