据最新报道，台积电每片300mm的2nm晶圆价格预计将达到3万美元以上，远超市场先前的预期。与之相比，当前3nm晶圆的价格区间约为1.85万至2万美元，而4/5nm晶圆则徘徊在1.5到1.6万美元之间。这一价格跃升无疑凸显了先进制程技术的昂贵成本。

台积电在2nm制程上取得了重大进展，引入了革命性的Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术，并结合了NanoFlex技术，为芯片设计师提供了前所未有的灵活性。据估计，相较于当前的N3E工艺，N2工艺将在相同功率下实现10%至15%的性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更重要的是，晶体管密度将提升15%，这标志着台积电在半导体技术领域的又一次重大突破。

然而，先进制程技术的高昂成本也不容忽视。随着制程的不断推进，开发费用呈现指数型增长。从28纳米到5纳米，开发成本从约0.5亿美元飙升至5.5亿美元，这包括了IP授权、软件验证、设计架构等多个环节。代工厂同样投入巨资，以3纳米制程为例，研发费用估计高达40至50亿美元，而建构一座3纳米工厂的成本则至少需要150亿至200亿美元。

先进制程的投入不仅昂贵，而且漫长且耗费资源。从研发人力、设备、软件到材料，各环节都不可或缺，且往往需要7至10年的时间。以2纳米为例，其路径早在2016年就已相当明朗，但直到近期试产时程细节才逐渐明确。这一过程中，设备、软件（包含IP、EDA工具）、材料三大厂商的支持至关重要。