俄罗斯已投入25.4亿美元，计划到2030年取代外国芯片制造设备。该计划旨在启动110个研发项目，减少对进口晶圆设备的依赖，并采用28nm级工艺技术制造芯片。

目前，俄罗斯芯片制造商如Angstrem和Mikron能在65nm和90nm节点上生产芯片，但400种芯片设备中仅12%能在当地制造。

制裁导致关键设备成本上涨40%~50%，促使俄罗斯工业和贸易部及MIET制定计划，开发国内替代品，目标覆盖70%的设备和原材料。

计划涵盖芯片制造设备、原材料和EDA工具，将开发20种技术路线，包括微电子、微波电子等。预计到2026年底，将开发350nm和130nm工艺技术的光刻设备，以及150nm生产节点的电子束光刻设备。此外，俄罗斯还计划开发化学气相沉积设备，并生产硅锭和晶圆。

到2030年，俄罗斯目标是生产能处理65nm或90nm工艺晶圆的国产光刻系统，这将大幅提升该国微电子产品的生产能力，但仍需追赶行业领先水平。