富士软片宣布将投资约200亿日圆（约1.4亿美元），在日本静冈县及大分县增设研发及生产设备，专注于2纳米以下、即1纳米等级的芯片所需的光阻剂等半导体材料。

其中，静冈县的新厂房将投资约130亿日圆，用于研发和生产极紫外光（EUV）曝光技术的先进半导体光阻剂，预计2025年秋开始营运。

大分县的新厂房则投资约70亿日圆，用于扩大化学机械研磨后清洗（Post CMP cleaning）剂的生产能力，预计2026年春开始营运。

此次投资旨在提升富士软片在半导体材料领域的研发、生产和品质评估能力，以满足客户对更精细芯片的需求。

随着台积电、Rapidus等半导体厂商推进2纳米及以下芯片的量产计划，富士软片期望通过与主要客户的合作，扩大在量产阶段的市占率。

此外，日本在半导体材料领域具有技术优势，此次投资将有助于提升日本境内最先进材料的制造与研发能力，吸引半导体厂在日本设立研发据点，与材料企业进行密切合作。