三星其最先进的10纳米级第六代DRAM（1c DRAM）首次量产。不仅标志着三星在DRAM技术上的持续领先，更为其即将推出的第6代高带宽内存（HBM4）奠定了坚实基础。

随着第一批优质1c DRAM产品的问世，三星电子的内存部门再次焕发出勃勃生机。这一成就不仅得到了公司内部的高度评价，更激发了员工们的士气和工作热情。

尤为引人注目的是，三星计划将1c DRAM应用于其即将推出的HBM4产品中。与上一代HBM3E相比，HBM4在核心芯片上采用了更为先进的1c DRAM技术。然而，这一决策也引发了半导体行业的广泛关注和担忧。毕竟，三星在HBM3E时代曾一度失去了对竞争对手SK海力士的领先优势，而此次跳过一代DRAM技术直接应用于HBM4，无疑增加了技术上的不确定性和风险。