近日，江门市生态环境局正式发布了关于冠鼎半导体新建第三代氮化镓（GaN）功率半导体生产项目的环评文件受理公告，标志着这一重要项目即将进入实质性建设阶段。

该项目坐落于江门市新会区崖门镇，总投资额达到1.055亿元，预计将年产1500万件氮化镓功率半导体，充分响应市场需求。项目将建造万级和十万级洁净室，并配备先进的固晶机、焊线机及离子清洗机等设备，确保生产环境和产品质量达到行业标准。

值得一提的是，冠鼎半导体成立于2023年8月，作为江门市鼎翔电子科技有限公司的全资子公司，其母公司自2012年成立以来，已在半导体封装材料领域建立了良好的声誉和技术基础。此次新项目不仅体现了冠鼎在技术创新方面的雄心，也为江门市的高新技术产业发展注入了新的活力。

随着氮化镓技术在电子产品中的应用不断扩展，冠鼎半导体的项目将进一步推动江门市在半导体行业中的地位。我们期待这一项目的顺利推进，将为地方经济带来更多机遇和发展潜力，助力区域产业转型升级。