三星电子在晶圆代工领域面临挑战，其GAA（环绕栅极）制程的良率仅为10%至20%，远未达到量产所需的标准。这一现状限制了三星在与台积电竞争中的优势，尤其是在英伟达新一代AI处理器Blackwell的代工需求激增的背景下。

尽管三星是全球第二大晶圆代工厂商，但其先进制程的良率问题一直未能有效解决。今年第一季，三星3纳米制程的良率仅为个位数百分比，导致自家Exynos 2500芯片组的样品出货延误。即使在第二季良率提升至20%，这一数字仍然低于量产要求的60%良率门槛，迫使三星暂缓了平泽P4晶圆代工产能扩张计划。

三星的P4厂原本计划安装NAND Flash生产设备，随后再安装晶圆代工及DRAM生产设备。然而，由于晶圆代工良率太低，三星改变策略，决定让P4厂专注于生产NAND Flash与高带宽存储（HBM）。此外，三星在美国德州泰勒市投资的晶圆厂也因2纳米制程良率太低，导致量产时程延后至2026年。

目前，三星3纳米以下的良率不到50%，而台积电的良率则在60%至70%之间。这一差距使得台积电在全球晶圆代工市场的市占率达到62.3%，而三星仅为11.5%。韩国产业专家表示，三星的GAA制程良率尚未达到接单及量产的门槛，这无疑对三星在晶圆代工市场的竞争力构成了挑战。