近期，国内工信部公布的自研DUV曝光机规格引发热议，被误传为已达8纳米水平。实则，该技术相当于2005年ASML的65纳米TWINSCAN XT:1460K机种，主要用于65纳米芯片量产。

市场传言夸大其词，国内曝光机技术虽取得进展，但距8纳米仍远。

《首台（套）重大技术设备推广应用指导目录（2024年版）》显示，国内ArF曝光机分辨率为65纳米，套刻精度达8纳米，而KrF曝光机分辨率为110纳米。这里的套刻并非指制程节点，而是叠影曝光技术精度。

上海微电子作为国内曝光机龙头，其SSX600系列可满足90至280纳米需求，并用于规模量产。虽传将量产28纳米浸润式曝光机，但至今未有官宣，凸显技术难度。

国内曝光机技术虽在追赶，但与国际龙头ASML仍有显著差距。工信部此举意在推广本土设备，减少对外依赖，实际成效尚待观察。