宽禁带半导体:AI数据中心能效新引擎
来源:ictimes 发布时间:2 天前 分享至微信
宽禁带半导体,如碳化硅和氮化镓,正成为AI数据中心降耗的关键。面对AI算力需求激增与功耗上升的挑战,这些半导体材料凭借高能效、耐高压高温等优势,成为市场新宠。
领军企业如英飞凌、德州仪器等纷纷布局,推出高效电源解决方案,旨在提升数据中心能效,降低成本。
碳化硅擅长高电压场景,如PFC阶段,提升效率并减少能耗;氮化镓则在低电压转换中表现出色,适用于DC/DC转换,进一步推动能效提升。两者结合,不仅满足AI数据中心的高能耗需求,还助力实现碳中和目标。
多家企业增资扩产,如英飞凌建设全球最大碳化硅工厂,推出高功率密度、高效率的服务器电源;罗姆、纳微等也在氮化镓技术上取得突破,赢得数据中心客户青睐。
随着技术进步和市场扩大,宽禁带半导体在AI数据中心的应用前景广阔,有望成为未来能源节约的重要力量。
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