随着AI技术的飞速发展，电力短缺成为制约其进一步突破的瓶颈。安森美（Onsemi）挺身而出，专为数据中心量身打造了一系列新型矽沟槽功率MOSFET及碳化矽（SiC）MOSFET，旨在破解这一难题。

据Electronic Design报道，安森美电源解决方案总裁Simon Keeton指出，这些创新技术组合能显著降低数据中心电源功率损耗达1%，提升效率与散热性能，预计全球数据中心更换后每年可节省10 TWh电力。

碳化矽作为功率半导体领域的新星，正逐步取代矽成为高压功率开关的首选。尽管成本较高，但其在电动车等领域展现出的卓越性能不容忽视。碳化矽MOSFET不仅功率损耗低，切换速度快，还能有效节省空间，降低系统成本，为现代数据中心运行AI提供强大支持。

面对AI电力需求的激增，国际能源署预测2025年AI将消耗至少650 TWh电力。安森美的碳化矽MOSFET凭借高击穿电压、快速开关速度及优异导热性能，成为降低能耗的关键。