在全球新能源与数字化浪潮的推动下，宽禁带半导体技术，尤其是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），正成为推动绿色能源与数字化转型的关键力量。作为功率系统半导体领域的领军者，英飞凌凭借其在SiC和GaN领域的深厚积累与持续创新，正加速这一变革进程。

随着全球气候变化的严峻挑战日益凸显，节能减排成为全球共识。英飞凌深谙此道，通过其先进的宽禁带半导体技术，助力各行各业实现低碳转型。在“2024慕尼黑上海电子展”上，英飞凌不仅展示了其全面的功率及电源类半导体产品，还举办了“2024英飞凌宽禁带论坛”，与行业伙伴共同探讨宽禁带技术的最新发展与应用前景。

英飞凌科技全球高级副总裁潘大伟在论坛上强调，半导体解决方案是实现气候目标的关键，宽禁带半导体能显著提升能源效率，推动低碳转型。他指出，英飞凌在SiC领域拥有超过20年的技术积累，并通过扩建马来西亚居林工厂，计划将其打造为全球最大的8英寸SiC功率半导体晶圆厂，以满足市场对高性能SiC产品的巨大需求。

同时，英飞凌在GaN领域的布局也颇具成效。去年成功收购GaN Systems公司后，英飞凌在GaN产品开发和应用推广上更具优势，目前拥有超过350个GaN技术专利族和450位技术专家，进一步巩固了其在宽禁带半导体领域的领先地位。

在数字化浪潮中，英飞凌同样扮演着重要角色。其宽禁带半导体技术不仅提升了能源效率，还推动了各行各业的数字化转型。英飞凌科技副总裁刘伟和沈璐在主题演讲中指出，数字化已经深入到日常生活的方方面面，对电力消耗提出了新的挑战。而英飞凌的宽禁带半导体技术，在电力转换和功率密度提升方面发挥着关键作用，为数据中心、物联网终端设备等提供了高效能解决方案。

宽禁带半导体技术的优越性不仅体现在其高效能、低功耗上，还体现在其广泛的应用领域。从电动汽车、光伏储能到数据中心、智能家居，英飞凌的宽禁带半导体产品无处不在。例如，在电动汽车领域，SiC和GaN技术能够显著提升电池续航能力和充电效率；在光伏储能领域，它们则能够降低系统体积和重量，提高能源转换效率。