GaN数据中心需求攀升,IDM巨头竞相布局
来源:ictimes 发布时间:2024-09-06 分享至微信
随着AI技术的迅猛发展,数据中心电力需求急剧攀升,能效提升成为关键。氮化镓(GaN)技术以其卓越性能,成为解决数据中心能源瓶颈的明星材料。在SEMICON Taiwan 2024论坛上,TI产品总监揭示了GaN在数据中心PSU的广阔前景。
AI数据中心虽占服务器市场比例不高,但成长速度惊人,提升能效刻不容缓。GaN以其高功率密度、高效能特性,成为提升PSU性能的理想选择。客户渴望通过缩小PSU体积、提升功耗效率来优化数据中心设计。
不仅TI,英飞凌、意法半导体、安森美等IDM巨头也纷纷加入战局,竞相推出基于GaN的数据中心解决方案。尽管在GaN与SiC的选择上存在分歧,但宽能隙半导体在数据中心的应用已成定局。
随着技术进步和成本降低,GaN技术将为数据中心带来绿色、高效的变革,推动行业向更加可持续的方向发展。
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