在功率半导体领域，一场由SiC（碳化硅）MOSFET技术引领的创新风暴正席卷而来。近期，安森美、英飞凌、汉磊等国内外六大巨头纷纷亮剑，推出最新一代SiC MOSFET产品，旨在满足市场对高性能、高效率、高可靠性功率器件的迫切需求，加速推动工业、汽车、能源存储等多个领域的电气化进程。
安森美以其EliteSiC M3e MOSFET产品抢占市场先机，这款创新之作不仅采用了行业标准的TO-247-4L封装，还凭借独特的平面架构，在关断损耗上实现了高达50%的降低，同时显著优化了导通损耗和开关损耗，整体能效得到显著提升。
英飞凌的CoolSiC™ MOSFET G2技术同样不容小觑，其在电动汽车充电站、光伏系统、储能解决方案等多个领域展现出强大的竞争力。与硅基产品相比，CoolSiC™ G2不仅提升了充电效率，还大幅降低了功率损耗，开关频率更是传统硅基产品的三倍之多。
飞锃半导体和瀚薪科技作为国产SiC MOSFET领域的佼佼者，也在近期推出了各自的最新产品。飞锃半导体的第三代SiC MOSFET系列覆盖了主流市场需求，凭借出色的开关损耗和导通特性，在充电桩、光伏储能系统等领域展现出强大的竞争力。而瀚薪科技的H3M SiC MOSFET系列则以高性能、高可靠性和创新设计著称，特别是其顶部散热封装技术更是独步业界。
汉磊推出的全新SiC MOSFET G3方案同样值得关注，该平台已通过多家客户的可靠度测试及车规级可靠性测试认证，标志着其在汽车领域的应用即将进入实质性阶段。
