罗姆半导体近日在PCIM Asia 2024展览上揭示了一系列令人振奋的碳化硅（SiC）技术进展，为新能源汽车和高性能电子设备的未来发展奠定了坚实基础。

公司宣布成功将第四代SiC MOSFET应用于极氪汽车的多款车型，并计划于2025年推出第五代SiC MOSFET，同时提前推出第六代和第七代产品。此外，罗姆将在2024年启动日本工厂的8英寸SiC生产线，预计2025年开始供货。

在展览会上，罗姆首次亮相了全新的碳化硅模块TRCDRIVE pack™，这款模块主要面向300kW以下的新能源汽车牵引逆变器。TRCDRIVE pack™模块采用先进的塑封+Press Fit技术，使得模块尺寸缩小28%，提高了功率密度，降低了杂散电感。特别是通过3D铜夹片设计，TRCDRIVE pack™在相同面积下能处理450A电流，功率密度较传统产品提升了1.5倍。

罗姆的创新不仅体现在模块的设计和技术上，还在生产能力方面表现出色。TRCDRIVE pack™的生产能力是传统SiC框架式灌封模块的30倍，预计2024年6月开始以每月10万个的规模生产。此外，公司还将推出三相全桥SiC塑封模块，预计功率密度将提升至现有产品的1.3倍。

总体来看，罗姆的TRCDRIVE pack™不仅提升了模块的技术性能，也将推动碳化硅技术在未来新能源汽车和高功率电子设备中的广泛应用，为市场带来更多可能性。