罗姆加速SiC MOSFET迭代,携手吉利推动EV发展
来源:ictimes 发布时间:2024-09-03 分享至微信

罗姆半导体(Rohm)宣布其第4代SiC MOSFET已应用于吉利电动车品牌极氪的3款车型中,标志着双方合作迈入新阶段。罗姆计划于2025年推出电阻更低的第5代产品,并加速第6代和第7代的研发进程,目标每两年升级一代,持续降低导通电阻。


罗姆与吉利合作六年,此次合作首次将SiC元件引入极氪车型,包括SUV“X”、迷你厢型车“009”及运动旅行车“001”。通过合资公司,罗姆向吉利一级供应商稳定供应模块,助力极氪车型性能提升。


为应对汽车业尤其是电动车市场的快速发展,罗姆设定了2027年SiC业务销售额翻五倍的目标,并构建灵活供应体系,提供裸晶、离散元件及模块等多种选择。其8英寸SiC晶圆制造技术也在日本九州福冈工厂取得进展,为新品研发奠定坚实基础。


此外,罗姆还获得日本政府新能源项目支持,加速SiC功率半导体的技术创新与市场拓展,以抓住全球电动车市场的新机遇。

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