芯盟功率半导体项目即将竣工,预计明年1月投产
来源:ictimes 发布时间:2024-09-05 分享至微信
芯盟高等级功率半导体厂房项目自今年2月开工以来,已实现主体结构封顶,目前项目正进入砖块砌筑及内外粉刷阶段。预计该项目将在明年1月竣工并投入使用。
该项目总投资额达5100余万元,建筑面积超过2万平方米,总建筑面积近3万平方米,是龙游县重点高科技产业项目之一。
项目主体建筑包括厂房、综合楼、门卫、材料库及室外附属配套设施,共5层。芯盟半导体项目专注于IGBT芯片、IGBT大功率模块和分立器件的生产,同时积极拓展碳化硅功率器件领域,可能包括SiC模块产品。
项目完成后,预计年产300万只高等级功率半导体模块,将为地区经济发展和半导体产业进步做出重要贡献。
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