近期，国内第三代半导体碳化硅（SiC）产业迎来了新的发展动态，四个相关项目相继进入筹建、签约、投产和量产阶段，总投资额超过40亿元人民币。

浙江萃锦半导体有限公司正在筹建一个功率芯片制造厂房，预计投产后将大幅提升碳化硅MOSFET的月产能至3000片。萃锦半导体采用Smart IDM模式，专注于新一代功率半导体的芯片设计和生产，其产品在PCIM Asia展会上展出，展示了公司的全系列产品线。

致瞻新能源（浙江）有限公司在浙江嘉善投资10亿元建设碳化硅半导体器件生产项目，预计新项目建成后年产值将达到50亿元。

芯华睿半导体科技有限公司宣布车规级碳化硅及硅基功率模块（IGBT/SiC）量产，项目总投资5亿元，预计达产后年产汽车、光伏、工控功率模组产品200万只。

重庆欣晖材料技术有限公司的硅及碳化硅部件项目宣布投产，总投资25亿元，预计实现硅部件产能17万件/年，碳化硅部件产能8万件/年。

这些项目的推进标志着国内SiC产业的快速发展，有望进一步推动相关产业链的成熟和市场应用的拓展。随着新能源汽车、5G通信、智能电网等新兴领域对高性能半导体材料的需求日益增长，SiC产业的发展前景备受期待。