在最新的学术会议上，SK海力士的副总裁文起一揭示了该公司在存储技术领域的重大布局——Chiplet技术将在未来2至3年内正式应用于DRAM和NAND产品。
文起一强调，通过Chiplet设计，SK海力士能巧妙地将对工艺要求不那么严苛的控制器功能模块迁移到成本更为经济的成熟制程芯粒上，此举不仅保持了产品的功能完整性，更在成本控制上实现了质的飞跃，展现了高超的技术策略与市场洞察力。
SK海力士对Chiplet技术的研发已步入快车道，公司不仅内部全力推进该技术的成熟，还积极拥抱行业生态，成为UCiE产业联盟的重要一员，并提前布局，于2023年在全球范围内注册了MOSAIC商标，为Chiplet技术在存储领域的广泛应用铺平了道路。这一举动不仅彰显了SK海力士在技术创新上的前瞻性和决心，也预示着Chiplet技术将成为未来存储市场的重要趋势。
与此同时，文起一也坦诚地指出了当前HBM内存混合键合技术面临的挑战。尽管这一新兴工艺被视为连接HBM内存各层裸片的关键技术，但其对CMP加工步骤的高精细度要求以及封装过程中产生的碎屑污染问题，均对HBM内存的良率构成了不容忽视的影响。然而，文起一坚信，这些挑战只是通往成功路上的暂时障碍，混合键合技术仍将是推动HBM内存未来发展的关键力量。
