中国半导体技术崛起:与台积电差距缩小至三年
来源:ictimes 发布时间:2024-08-28 分享至微信

据日本知名半导体研究机构TechanaLye总裁清水洋治的深入分析,当前中国半导体技术水平已悄然逼近台积电,差距缩短至仅三年之遥。


这一结论基于对中国大陆生产的最新量产的7纳米“KIRIN 9010”芯片与台积电2021年生产的5纳米“KIRIN 9000”芯片的全面对比,两者在处理性能上展现出惊人的相似性。


从实际产品性能来看,这一差距几乎可以忽略不计。特别是在华为最新旗舰智能手机Pura 70 Pro中的应用,更是验证了中国在半导体量产技术上的长足进步。该手机搭载的“KIRIN 9010”芯片不仅由华为海思半导体设计,更实现了高度的国产化,其中86%的半导体组件均由中国企业自主研发和生产,这一比例凸显了中国半导体产业链的日益完善与强大。


清水洋治指出,美国的管控措施虽然在一定程度上减缓了中国技术创新的步伐,但同时也加速了中国半导体产业的自主化进程,推动了整个产业链的成熟与发展。


更令人瞩目的是,中国在全球半导体制造设备市场中的地位日益凸显。根据半导体行业协会SEMI的最新数据,2023年中国市场占据了全球制造设备销售额的34.4%,显示出强大的购买力和市场需求。尽管尖端设备的出口管制依然是一个挑战,但中国正通过采购未受管制的设备,稳步提升其量产技术,为未来的半导体产业发展奠定坚实基础。


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