三星电子宣布，其2027年推出的2纳米制程（SF2Z）将采用创新的背面供电（BSPDN）技术，预计可提升8%效能、15%电源效率，并减少17%芯片面积。这是三星首次公开BSPDN技术的具体效能提升数据，标志着半导体技术的重大突破。

相较于传统正面供电网络（FSPDN），BSPDN通过优化电源布局，显著改善了降压问题，减少了信号干扰。随着芯片元件日益密集，BSPDN如同为芯片“解堵”，将电力系统移至背面，不仅提升了效能，还降低了功耗和成本。

此外，三星还透露了第二代2纳米制程（SF2P）的进展，目标于2026年量产，相较第一代SF2，效能将提升12%，功耗降低25%，面积减少8%。

自2022年起，三星引入环绕式闸极（GAA）结构，进一步降低VDD并提升电源效率。GAA结构的VDD仅为0.58，远低于FinFET和平面结构，显示了其在提高能效方面的巨大潜力。三星的竞争对手台积电和英特尔也计划在2纳米制程中采用GAA结构。

这一系列技术创新，不仅展示了三星在半导体领域的领先地位，也为全球科技产业的未来发展注入了新的动力。