韩国媒体 TheElec 报导，三星电子即将推出一系列革命性的2纳米制程技术，预计将在2025年迎来首次量产。这项技术将为半导体行业带来前所未有的突破，尤其是在极紫外光（EUV）曝光层的使用上，较当前的3纳米制程将多出30%的曝光层，从而显著提升芯片性能。

三星自2018年起在其7纳米节点制程中引入了EUV技术，并在随后转向5纳米、3纳米节点时不断增加EUV曝光层。根据最新消息，三星的2纳米节点制程将配置20层EUV曝光层，而未来的1.4纳米节点制程则预计会达到30层以上。这一进步不仅标志着技术的巨大飞跃，还意味着相关产业链如光阻剂和光罩等也将迎来新的发展机会。

值得关注的是，三星的2纳米SF2制程技术预计在2025年推出。与目前的3纳米技术相比，SF2可以在相同的计算频率和复杂度下减少25%的功耗，或者在相同功耗下提高12%的计算性能，同时减少5%的芯片面积。这些改进将极大提升芯片的整体性能和能效，为高性能计算和智能设备的普及奠定基础。

此外，三星还将引入优化的背面供电网络（BSPDN）技术，这种技术将电源供应线路设在晶圆背面，有效解决电源线与信号线之间的瓶颈问题。应用BSPDN技术的SF2Z制程预计将在2027年量产，相较于首代2纳米节点SF2，它将在功率、性能和芯片面积方面带来显著提升，同时降低电压（IR降），进一步推动高性能计算（HPC）芯片的性能提升。

除了SF2和SF2Z制程，三星还计划推出一系列针对不同领域的2纳米技术。用于移动领域的SF2和SF2P将分别在2025年和2026年发布，而针对人工智能和高性能计算的2纳米制程预计将于2026年推出。针对汽车电子的SF2A制程则将在2027年面世。这些计划显示出三星在半导体技术创新上的坚定步伐。

总体来看，三星的2纳米制程技术将为半导体行业注入强劲的新动力，不仅提升了芯片性能，也推动了整个产业链的技术进步。这些技术突破将为未来的智能设备、高性能计算和汽车电子等领域带来更多可能性，进一步巩固三星在全球半导体市场中的领先地位。