在全球半导体技术竞争日益激烈的背景下，比利时微电子研究中心imec与ASML合作传来振奋人心的消息。双方在共同设立的High-NA EUV光刻实验室中，首次利用前沿的0.55NA High-NA EUV光刻技术，成功曝光了具有里程碑意义的逻辑和DRAM图案结构，标志着半导体制造迈入了一个全新的高精度时代。

此次实验中，imec不仅展现了其卓越的科研实力，更验证了High-NA EUV技术在提升半导体制造工艺极限方面的巨大潜力。通过单次曝光，该团队成功实现了9.5nm密集金属线的图案化，达到了19nm的间距，将芯片制造的精细度推向了前所未有的高度。这一成就，意味着未来在1.4nm乃至更先进的工艺技术中，构建逻辑电路将变得更加高效与可行。

尤为值得关注的是，imec还展示了在DRAM制造方面的创新突破，成功实现了存储节点着陆垫与位线外围的集成设计，大幅减少了曝光次数，提高了生产效率。这一创新设计不仅展示了High-NA EUV技术在存储器技术中的广泛应用前景，更为半导体产业向“埃米时代”迈进提供了坚实的技术支撑。

imec总裁兼首席执行官Luc Van den hove对此次成功表示高度赞赏，他强调：“作为行业内的先锋，imec与ASML的联合实验成果，不仅展示了High-NA EUV技术的独特优势，更为半导体制造领域的未来发展开辟了广阔的空间。