华羿微电子股份有限公司近期申请了一项名为"一种高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构、制作方法及应用"的专利，公开号为CN202410874826.4。这项专利于2024年7月提交，旨在通过创新的外延设计结构，降低功率MOSFET的制造成本。

该专利的外延设计结构包括一个高浓度砷掺杂的第一外延层，它在衬底上形成并阻挡衬底扩散。此外，还有一个以负斜率阶梯式掺杂浓度成型的第二外延层。这种设计使得第一外延层的Rdson占比小于总Rdson的5%。

通过采用砷成型的第一外延层和精准的负斜率阶梯掺杂浓度的第二外延层，该专利能够实现在增加MOSFET的击穿电压(BV)的同时，降低导通电阻(Rdson)。这不仅提升了直流-直流(DC-DC)能量转换效率，还降低了功率器件的制造成本。

此外，该专利的制作方法与现有的功率器件制造工艺兼容，可以应用于沟槽型和屏蔽栅型MOSFET功率器件中。这一创新为功率半导体领域带来了成本效益和性能提升的新选择。

华羿微电的这项专利申请，体现了公司在功率半导体领域的技术实力和创新能力。通过持续的研发投入和技术创新，华羿微电有望为电子行业带来更多高性能、低成本的解决方案。