锗，作为关键半导体材料，在GAA制程中扮演重要角色。然而，其稀缺性促使全球加强回收技术。商务部与海关总署对锗出口实施管制，推动了环保回收技术的发展。

美国一项专利展示了利用有机酸从电子废弃物中提取锗的绿色方法，有效应对传统提取法的环境问题。同时，日本专利则聚焦于从光纤制造废气中回收锗，实现了高效低成本的锗回收过程。

在半导体应用方面，锗的掺杂技术不断突破。通过将锗掺入硅纳米线形成SiGe通道，美国专利提升了集成电路效能，特别是晶体管的迁移率和效率。此外，应变矽技术利用Si/SiGe双层结构，增强了pMOS和nMOS晶体管的性能，为GAAFETs制造提供了新思路。

锗-矽光传感装置也是一大亮点，整合了可见光和近红外光检测，显著提升了传感器的灵敏度和应用范围。从高分辨率成像到增强现实，该技术展现了广阔的市场前景。