美光G9 NAND技术引领存储革命:高性能与高密度并存
来源:ictimes 发布时间:2024-08-01 分享至微信

在存储技术的浪潮中,美光科技再次以技术创新引领行业前行。7月31日,美光正式宣布其采用第九代(G9)TLC NAND技术的SSD产品正式进入量产阶段,成为业界先驱之一,展现了美光在制程技术和设计创新方面的深厚底蕴。


G9 NAND技术的横空出世,标志着数据存储领域的一次重大飞跃。该技术以高达3.6 GB/s的数据传输速率傲视群雄,为人工智能、大数据等数据密集型应用提供了前所未有的性能支持。无论是个人设备、边缘服务器,还是企业和云数据中心,G9 NAND都能游刃有余地应对各种挑战,满足用户日益增长的数据存储需求。


美光的技术和产品执行副总裁Scott DeBoer对此充满信心:“G9 NAND技术的量产,是美光实力的有力证明。这项技术不仅拥有市场领先的密度,还实现了存储解决方案的紧凑与高效,为消费者和企业带来了实实在在的利益。”


G9 NAND技术的卓越性能,得益于其出色的NAND输入/输出(I/O)速率。相较于当前市场上的主流SSD产品,G9 NAND的数据传输速率提升了50%,每颗芯片的写入带宽和读取带宽也分别高出99%和88%。这些惊人的数据,无疑让G9 NAND成为了数据存储领域的佼佼者。


更为难得的是,G9 NAND在提升性能的同时,还保持了与前代产品相同的紧凑封装尺寸(11.5mm x 13.5mm),相比同类产品节省了28%的空间。这种小尺寸、高密度的设计,为各种应用场景提供了更多的设计选择和灵活性。


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