美光科技近日宣布其创新的多重访问双列直插式存储模块（MRDIMM）正式进入送样阶段，标志着存储技术的一次重大飞跃。专为应对高需求数据中心挑战而设计，MRDIMM凭借DDR5标准，实现了带宽提升高达39%、延迟降低多达40%的卓越性能，远超当前主流硅晶穿孔型（TSV）RDIMM。

这一突破性技术不仅支持从32GB到256GB的广泛容量选择，还通过标准与加高尺寸（TFF）规格，灵活适配1U和2U高性能服务器。特别是TFF模块，其先进散热设计能显著降低DRAM温度，优化数据中心能效。美光采用先进的32Gb DRAM晶粒制程，使256GB TFF MRDIMM在相同功耗下展现超越传统TSV RDIMM的35%性能优势，大幅降低数据中心总拥有成本。

美光副总裁Praveen Vaidyanathan强调，MRDIMM以低延迟、高带宽和大容量满足下一代服务器对AI推理和高性能计算（HPC）的严苛需求。而英特尔副总裁Matt Langman则确认，MRDIMM与Xeon 6 CPU平台无缝兼容，为HPC、AI及大规模工作负载提供强大支持。

随着MRDIMM的上市及2024年下半年的大规模出货，美光正引领存储行业迈向新的高度，为数据中心用户带来前所未有的性能与效率体验。