近日，半导体行业的最新消息引起广泛关注——台积电的A14制程（1.4nm）即将迈入全新阶段。根据最新的High-NA EUV路线图，台积电计划于2026年上半年启动A14制程的风险试产，预计最快于2027年第三季度实现量产。初期，这一制程仍将依赖ASML的第三代EUV设备NXE:3800E。
值得一提的是，台积电的A14制程将在2028年迎来重大升级，届时将全面引入High-NA EUV技术，包括EXE:5000和EXE:5200设备。这一进程标志着台积电在半导体制造领域的技术领先地位，同时也预示着未来技术的发展方向。到2030年，A10制程也将全面采用High-NA EUV技术，进一步推动半导体产业的技术进步。
此外，台积电董事长魏哲家于2024年5月带领高管团队访问了ASML总部，此行的重点是深入了解High-NA EUV系统。每台设备售价高达3.8亿美元，此次访问还涉及供应链维护及零部件供应等关键问题。台积电不仅是ASML EUV设备的最大客户，而且在3nm芯片生产方面也达到了满负荷生产状态，预计2024年第四季度将启动2nm工艺的量产。此次台积电预计采购的EUV设备数量将达到70台左右，并已与ASML达成了设备采购折扣协议，确定了未来五年的技术进步计划。
与此同时，英特尔也在积极推进先进制程技术，2024年4月宣布其Intel Foundry部门在俄勒冈州成功组装了业界首台High-NA EUV光刻设备。预计该设备将在2027年开始批量生产，用于支持英特尔的14A工艺。
这一系列动作不仅展示了台积电和英特尔在半导体行业中的前瞻性和创新能力，也为未来的技术进步奠定了坚实的基础。
