三星电子在P4工厂的投资上陷入两难。原本计划先投资NAND Flash，但QLC NAND生产计划的不确定性让DRAM成为备选。三星自两年前启动P4建设，旨在扩大存储器和晶圆代工产能，但客户获取难题使其决定优先投资存储器。

近期，随着DRAM市场供不应求，特别是高带宽存储器需求的快速增长，三星面临是否调整投资方向的抉择。尽管三星已领先量产TLC 9代3D NAND，但QLC 9代因未获PRA批准，投资计划受阻。

业界普遍认为，若三星选择先投资DRAM，将有助于缓解市场供应紧张，并满足先进DRAM技术的需求。然而，NAND Flash在高容量存储市场的潜力也不容忽视。三星P4工厂的最终投资方向，将直接影响其未来市场布局和竞争力。这一决策，正在紧锣密鼓地研拟中。