SK海力士于7月26日正式宣布，将投资9.4115万亿韩元（约合493亿元人民币）用于韩国龙仁半导体集群的首个Fab及业务设施建设。该项目旨在强化公司在AI存储芯片市场的领先地位，并奠定未来的增长基础。
SK海力士计划在龙仁集群建设四座尖端Fab，首座Fab将于明年3月动工，预计2027年5月竣工。整个集群的建设预计将持续至2028年底，总投资将覆盖Fab、配套设施、业务支援楼及福利设施等。龙仁集群旨在成为全球AI半导体生产的重要基地，并计划与国内外50多家中小企业合作，共同构建半导体合作园区。
首座Fab将主要生产高带宽存储器（HBM）等新一代DRAM，并根据市场需求调整产品线。此外，SK海力士还计划在Fab内设立“小型Fab”，为韩国中小企业提供技术开发、实证和评价的平台，助力其技术升级。
SK海力士副社长金英植表示，龙仁集群不仅是公司中长期增长的关键，也是与合作伙伴共同推动创新和发展的平台。该项目将显著提升韩国半导体技术的竞争力和生态系统的活力，为国家经济注入新动力。
