村田创新电容技术,破解AI高功耗挑战
来源:ictimes 发布时间:2024-07-24 分享至微信
随着AI大模型的兴起,AI加速卡与服务器面临前所未有的功耗挑战,单AI芯片功率已超1000W。面对这一趋势,村田电子在2024慕尼黑上海电子展上展示了其针对AI领域的创新电容产品及解决方案,有效应对了高功耗带来的电路设计难题。
村田针对AI加速卡与服务器,提供了小尺寸、大容量的陶瓷电容和聚合物铝电容方案,显著提升了电容的容量密度,满足了AI设备在有限空间内对高容量电容的需求。此外,村田还推出了针对芯片封装的DSC表贴电容和LSC背贴电容,实现了阻抗最优设计,减少了板级损耗。
尤为值得一提的是,村田创新的“埋容”方案,通过将电容嵌入到PCB板中,不仅进一步节省了空间,还提高了系统的整体性能。这一技术突破,为AI加速卡和服务器提供了更加紧凑、高效的电路设计方案。
综上所述,村田通过其丰富的电容产品线和创新技术,为AI领域的高功耗挑战提供了有效的解决方案,助力AI算力硬件的发展迈向新台阶。
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