村田电容创新破局:应对AI新挑战,赋能超1000W功率芯片
来源:ictimes 发布时间:2024-07-23 分享至微信

在AI技术日新月异的今天,算力需求如同井喷般爆发,推动着全球AI硬件市场的飞速发展。据权威机构预测,2023年全球AI服务器出货量已突破百万大关,同比激增近半,其中AI加速卡作为算力核心,更是成为科技巨头竞相追逐的焦点。然而,随着AI芯片功耗的不断攀升,特别是部分芯片功率已突破1000W大关,这一趋势给AI加速卡及服务器的设计与制造带来了前所未有的挑战。


面对这一行业痛点,村田电子在近期慕尼黑上海电子展上大放异彩,不仅深刻剖析了AI领域对被动元件的新需求,还隆重推出了一系列创新电容产品,为AI算力升级提供了坚实的支撑。


首先,针对AI芯片功耗激增导致的电路设计难题,村田凭借其深厚的技术底蕴,成功研发出小尺寸、大容量的电容解决方案。在加速卡及服务器主板上,村田提供的MLCC(多层陶瓷电容器)和聚合物铝电容,不仅容量显著提升,如MLCC最大容量已达330μF,而且体积控制得更为紧凑,有效缓解了PCB板空间受限的问题。这一突破,不仅提升了电容的密度,也增强了系统的稳定性和可靠性。


尤为值得一提的是,村田在电容产品的技术升级上同样不遗余力。针对AI芯片核心电压下降对电源稳定性要求提高的现状,村田推出了低ESL(等效串联电感)的三端子电容,实现了在极小尺寸内达到大容量且阻抗最优的设计。此外,村田还推出了长宽倒置电容等创新产品,进一步降低了电容的厚度,满足了AI芯片封装对空间的高要求。


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