3．工程试验芯片（engineering die）和测试芯片（test die）：这些芯片与正式器件芯片或电路芯片不同；它包括特殊的器件和电路模块，用于对晶圆生产工艺的电性能测试。
4．边缘芯片（edge die）：在晶圆的边缘有一些掩模残缺不全的芯片而产生面积损耗。由于单个芯片尺寸增大而造成的更多边缘浪费可以由采用更大直径晶圆来弥补。推动半导体工业向更大直径晶圆发展的动力之一就是为了减小边缘芯片所占的比例。
5．晶圆的晶面（wafer crystal plane）：图中的剖面展示了器件下面的晶格构造。此图中显示的器件边缘与晶格构造的方向是相关的。
6．晶圆定位边（wafer flat）／定位缺口（notche）：例如图示的晶圆有主定位边（major flat）和副定位边（minor flat），表示这是一个P型＜100＞晶向的晶圆（参见第3章的定位边代码）。300mm和450mm直径的晶圆都是用定位缺口作为晶体定向的标识的。这些定位边和定位缺口在一些晶圆生产工艺中还有助于晶圆的套准。
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