英特尔宣布，其最新的Intel 3工艺技术——一种3nm级别的制程技术，已经在俄勒冈州和爱尔兰的工厂进入大批量生产阶段。这一新工艺不仅提供了更高的性能和晶体管密度，还支持1.2V的电压，专为超高性能应用打造。

Intel 3工艺技术针对数据中心应用进行了优化，通过改进晶体管、降低晶体管通孔电阻的供电电路以及设计协同优化，实现了显著的性能提升。与英特尔18相比，新节点在相同功率和晶体管密度下性能提升了3%。

为了满足不同客户的需求，英特尔提供了多种选择。芯片设计人员可以结合240nm高性能和210nm高密度库，以获得最佳的性能和密度组合。同时，客户还可以从三种金属堆栈中选择，以平衡成本和性能。

目前，英特尔计划将这一先进的3nm级工艺技术应用于其最新的至强6处理器中，为数据中心带来卓越的性能。未来，英特尔的晶圆代工厂还将利用这一技术为代工客户制造高性能的处理器。

此外，英特尔还计划推出更多基于Intel 3技术的产品，包括支持硅通孔的Intel 3T，功能增强的Intel 3-E，以及性能增强的Intel 3-PT，以满足不同工作负载的需求。