英特尔近日宣布，其先进的Intel 3（3纳米级）工艺技术已正式投入大批量生产，并在俄勒冈州和爱尔兰的晶圆工厂全面展开。这一新工艺不仅带来了更高的性能和晶体管密度，还支持1.2V电压，为超高性能应用提供了强大的动力。

英特尔的代工技术开发副总裁Walid Hafez表示，Intel 3技术已经成功应用于最近推出的Xeon 6“Sierra Forest”和“Granite Rapids”处理器中，充分展示了其强大的实力。该技术特别针对数据中心应用进行了优化，通过改进的晶体管、优化的电源传输电路和设计协同，实现了尖端性能。

在性能方面，英特尔承诺，新节点在相同功率和晶体管密度下，将实现高达18%的性能提升。为了满足不同客户的需求，英特尔还提供了多种金属堆栈选择，包括14层、18层和21层版本，以平衡性能和成本。

目前，英特尔将首先使用其3纳米级工艺技术制造Xeon 6数据中心处理器。未来，这一技术还将扩展至代工厂业务，为客户制造更多高性能的数据中心级处理器。

除了基础的Intel 3技术，英特尔还将推出Intel 3T、Intel 3-E和Intel 3-PT等增强版技术，以满足不同工作负载和应用场景的需求。这些新技术的推出，将进一步巩固英特尔在半导体领域的领先地位。